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著名(ming)的(de)摩爾定律揭示集成電路上可以(yi)容(rong)納的(de)晶(jing)體(ti)管數(shu)目在(zai)大(da)(da)約每2年便會增加一倍。雖然(ran)隨著國際(ji)半(ban)(ban)導體(ti)的(de)技術發展路線圖(tu)的(de)更新，這一趨勢現在(zai)開始(shi)放(fang)緩，摩爾定律逐(zhu)漸失效，但它(ta)仍然(ran)是(shi)半(ban)(ban)導體(ti)行業快速(su)增長和發展的(de)強大(da)(da)驅(qu)動力。

高(gao)精du的流量(liang)測(ce)量(liang)和控制是許多(duo)半導(dao)體制造技(ji)術(shu)的關鍵。科里(li)奧利質量(liang)流量(liang)計和控制器是小流量(liang)液(ye)體應用的理想(xiang)選擇(ze)，因具(ju)有多(duo)種優(you)點，使其(qi)成為半導(dao)體工(gong)藝(yi)的理想(xiang)選擇(ze)。

在本文中，我們將簡(jian)要(yao)討(tao)論半導(dao)體(ti)行業并講述科里奧利(li)質量流量控制技術的(de)作(zuo)用。

半導(dao)(dao)體制造涉(she)及大量(liang)的(de)加(jia)工技術。對于集成電路芯片(pian)，將一(yi)(yi)個圓(yuan)柱(zhu)形(xing)的(de)晶錠切成薄片(pian)，進(jin)行清洗和拋光(guang)，然后再(zai)進(jin)行各種加(jia)法和減法處理步驟。其中一(yi)(yi)個關鍵步驟，是半導(dao)(dao)體工業中應用最為廣泛的(de)一(yi)(yi)種叫做化學氣相(xiang)沉積(CVD)的(de)技術。

 CVD 

／化學氣相沉積／

化學氣(qi)相沉積法(fa)是(shi)傳統的(de)(de)制(zhi)備薄(bo)膜的(de)(de)技術，指化學氣(qi)體或蒸汽在(zai)(zai)基(ji)質表面反應合成涂(tu)層或納米材(cai)料的(de)(de)方(fang)法(fa)，是(shi)半導體工(gong)業中應用(yong)最為廣泛的(de)(de)用(yong)來沉積多種(zhong)材(cai)料的(de)(de)技術。在(zai)(zai)集成電(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)制(zhi)造過程(cheng)中，襯底(di)通常為硅片。CVD能夠創造高阻(zu)隔(ge)膜，非常適用(yong)于具有復雜(za)幾何形(xing)狀的(de)(de)集成電(dian)路(lu)(lu)。

這個過(guo)程(cheng)可以簡單(dan)地用幾個步(bu)驟來(lai)描(miao)述:

-襯底(在這(zhe)種情況下是硅片)被裝入真空室。

-使用質量流量控制器將qian qu物精que地從儲(chu)罐流向汽化區域。

-通過增加熱量和/或降低壓力而汽化xian驅物。

-氣態的前驅物進入真空(kong)室，并反應(ying)形成聚(ju)合(he)物沉積在基材(cai)表面(mian)。

-所有揮發(fa)性的副產物通(tong)過(guo)腔(qiang)室橫向氣(qi)流排出(chu)。